לדלג לתוכן
שינוי מצב סרגל צד
Math-Wiki
חיפוש
יצירת חשבון
כלים אישיים
יצירת חשבון
כניסה לחשבון
דפים לעורכים שלא נכנסו לחשבון
מידע נוסף
שיחה
תרומות
ניווט
עמוד ראשי
שינויים אחרונים
העלאת קובץ
כלים
דפים המקושרים לכאן
שינויים בדפים המקושרים
דפים מיוחדים
מידע על הדף
עריכת הדף "
טרנזיסטור
" (פסקה)
דף
שיחה
עברית
קריאה
עריכה
גרסאות קודמות
עוד
קריאה
עריכה
גרסאות קודמות
אזהרה:
אינכם מחוברים לחשבון. כתובת ה־IP שלכם תוצג בפומבי אם תבצעו עריכות כלשהן. אם
תיכנסו לחשבון
או
תיצרו חשבון
, העריכות שלכם תיוחסנה לשם המשתמש שלכם ותקבלו גם יתרונות אחרים.
בדיקת אנטי־ספאם.
אין
למלא שדה זה!
===טרנזיסטור תוצא שדה (Field effect transistor-FET)=== טרנזיסטור זה מורכב גם הוא משני סוגי מוליכים למחצה בזיהומים שונים. שדה חשמלי משנה את תכונתו של חומר חצי מוליך ובכך שולט על מעבר הזרם בהתקן. ההתקן מורכב ממצע המזוהם בסוג אחד של נושאי מטען (באיור 4 p-type) כשעליו מושתלים שני מגעים בעלי זיהום הפוך (באיור 4 n-type). עליהם קיים שער עשוי מתכת המופרד מהמצע בשכבה דקה מבודדת. במצב זה, גם כאשר ה-source וה-drain מחוברים למקור מתח חיצוני, לא יזרום זרם בהתקן כיוון שקיימים כאן שני צמתי p-n המהוים נתק, מצב זה הוא מצב סגור. [[קובץ:טרנזיסטור FET_NPN.png|350px|שמאל|ממוזער|איור 4 - סכמת טרנזיסטור תוצא שדה (FET).]] כאשר מפעילים מתח gate חיובי, קיים שדה חשמלי המושך אלקטרונים מתוך המצע לכיוון החומר המבודד. באיזור זה שבין ה-source וה-drain תווצר שכבה דקה של חומר עם כמות נושאי מטען רוב של אלקטרונים, תהליך זה נקרא אינוורסיה שמשמעותו היפוך, כיוון שבאיזור זה המצע יהפוך מ-p-type ל-n-type. כעת יוכלו אלקטרונים לזרום מה-source ל-drain דרך שכבת האינוורסיה. גודלו של הזרם תלוי במתח שבין ה-source ל-drain. מצב קטעון הוא מצב בו מתח ה-gate קטן ולא מספיק כדי לייצר אינוורסיה, הזרמים שיכולים לזרום הם זרמים נמוכים הנובעים כתוצאה של תהליכי דיפוזיה. [[קובץ: טרנזיסטורים.png|200px|שמאל|ממוזער|איור 5]] כאשר מגדילים את מתח ה-gate מעל למתח הסף בו מתחילה להיווצר שכבת אינוורסיה, נקבל כי הזרם עולה לינארית בקירוב כפונקציה של מתח source-drain. גודל הזרם תלוי גם בגודלה של שכבת האינוורסיה, כלומר כדי לקבל זרם גדול יותר באותו מתח source-drain , יש להגדיל את שכבת האינורסיה על ידי הגדלת מתח ה-gate. התהליך מגיע לרוויה כאשר האלקטרונים מגיעים למהירותם המקסימאלית, כך שהגדלת מתח source-drain משאירה את הזרם ללא שינוי. ישנם טרנזיסטורים ששכבת האינוורסיה קיימת עוד בתהליך ייצור ההתקן, כמו בטרנזיסטור במערכת שלנו. בטרנזיסטורים אלו יהיה זרם גם כאשר מתח ה-gate יהיה 0. למשל בטרנזיסטור PNP כמו שמוצג באיור 4 שכבת האינוורסיה תהיה של נושאי מטען חיוביים גם ללא מתח gate, אם נפעיל מתח ה-gate שלילי יגדל גם הזרם המתקבל. אולם אם נפעיל מתח gate חיובי שכבת האינוורסיה תדחה ואיזור המיחסור שבשני הצמתים יגדל. ככל שמתח ה-gate יגדל כך תהרס יותר שכבת האינוורסיה, עד למצב בו לא יהיה זרם כלל.
תקציר:
לתשומת לבך: תורמים אחרים עשויים לערוך או אף להסיר את תרומתך ל־Math-Wiki. אם אינך רוצה שעבודתך תהיה זמינה לעריכה על־ידי אחרים, אין לפרסם אותה פה.
כמו־כן, שמירת העריכה משמעה הבטחה שכתבת את הטקסט הזה בעצמך, או העתקת אותו ממקור שאינו מוגן בזכויות יוצרים (אפשר לעיין בדף
Math-Wiki:זכויות יוצרים
לפרטים נוספים).
אין לעשות שימוש בחומר המוגן בזכויות יוצרים ללא רשות!
ביטול
עזרה בעריכה
(נפתח בחלון חדש)