כאשר מחברים אל הצומת מקור מתח חיצוני, נקבל כי הצומת משמש כדיודה המעבירה זרם רק בכיוון אחד. במקרה של ממתח קדמי (איור 2-1) נושאי המטען משני הסוגים ידחפו לצומת ויחצו אותו, ונקבל מעבר זרם. במקרה של ממתח אחורי (איור 2-2) המתח יעצור את נושאי המטען מלעבור את הצומת ולא יהיה מעבר זרם בכיוון זה.
===הטרנזיסטור הביפולרי (Bipolar junction transistor-BJT)===
הטרנזיסטור הביפולרי מורכב משני צמתי P-N המחוברים יחד. בטרנזיסטור N-P-N ישנו חומר p-type ומשני צידיו n-type, ובטרנזיסטור P-N-P ההיפך. איור 3 מציג טנזיסטור N-P-N, ברכיב זה ריכוז הזיהום בכל אחד מצידי ה-N שונה, כאשר צד אחד מזוהם יותר ובו ריכוז מטען שלילי גדול יותר. צד זה נקרא הפולט (emitter) והצד השני המזוהם פחות נקרא הקולט (collector). האיזור האמצעי עם ריכוז נושאי מטען חיוביים נקרא הבסיס (base).
[[קובץ:טרנזיסטור ביפולרי.png|300px|שמאל|ממוזער|איור 3 - סכמת טרנזיסטור ביפולרי NPN.]]
כאשר ממתחים את הצומת פולט-בסיס בממתח קדמי מאפשרים לאלקטרונים, שהם רוב נושאי המטען בפולט לעבור את הצומת לכיוון הבסיס. הטרנזיסטור בנוי כך שרוחבו של הבסיס קטן משמעותית מאיזור הדיפוזיה של נושאי המטען, לכן רוב האלקטרונים החוצים את הצומת ממשיכים ישירות לקולט. השאר יעזבו את הבסיס לכיוון הפולט בעקבות המתח בין הבסיס לפולט. לפי חוק הזרמים של קירכהוף יתקיים ש- <math>I_E=I_B+I_C</math>. החלוקה בין הזרם שיעבור לקולט לזה שיחזור לפולט תלוי היחסים בין הפוטנציאלים בחלקים השונים של הטרנזיסטור.
במצב בו פוטנציאל בבסיס גבוה מזה שבפולט (ממתח קדמי), פעיל קדמי מוגדר להיות מצב בו הפוטנציאל בקולט גבוה מזה שבבסיס, האלקטרונים יסחפו לכיוון הקולט. מיעוט קטן של אלקטרונים יחזור לבסיס, כאשר היחס בין זרם הקולט, <math>I_C</math> לזרם הבסיס <math>I_B</math> הוא <math>\beta=I_C/I_B</math> , יחס זה הוא בסדר גודל של 100. היחס בין זרם הקולט לזרם הפולט הינו <math>\alpha=I_C/I_E</math> . כיוון שרובו המוחלט של הזרם עובר לקולט יחס זה הוא קטן במעט מ-1.
אם הפוטנציאל בקולט נמוך מזה שבסיס, אזי לא כל האלקטרונים יעברו לקולט, והזרם שיעבור תלוי לינארית בקירוב במתח בין הקולט לבסיס, מצב זה נקרא מצב רוויה.
מצב קטעון הינו מצב בו הפוטנציאל בבסיס קטן מזה שבפולט (ממתח אחורי) במצב זה אלקטרונים לא יכולים לעבור ברכיב, והוא מהווה נתק.