אם הפוטנציאל בקולט נמוך מזה שבסיס, אזי לא כל האלקטרונים יעברו לקולט, והזרם שיעבור תלוי לינארית בקירוב במתח בין הקולט לבסיס, מצב זה נקרא מצב רוויה.
מצב קטעון הינו מצב בו הפוטנציאל בבסיס קטן מזה שבפולט (ממתח אחורי) במצב זה אלקטרונים לא יכולים לעבור ברכיב, והוא מהווה נתק.
===טרנזיסטור תוצא שדה (Field effect transistor-FET)===
טרנזיסטור זה מורכב גם הוא משני סוגי מוליכים למחצה בזיהומים שונים. שדה חשמלי משנה את תכונתו של חומר חצי מוליך ובכך שולט על מעבר הזרם בהתקן.
ההתקן מורכב ממצע המזוהם בסוג אחד של נושאי מטען (באיור 4 p-type) כשעליו מושתלים שני מגעים בעלי זיהום הפוך (באיור 4 n-type). עליהם קיים שער עשוי מתכת המופרד מהמצע בשכבה דקה מבודדת. במצב זה, גם כאשר ה-source וה-drain מחוברים למקור מתח חיצוני, לא יזרום זרם בהתקן כיוון שקיימים כאן שני צמתי p-n המהוים נתק, מצב זה הוא מצב סגור.
[[קובץ:טרנזיסטור FET.png|300px|שמאל|ממוזער|איור 4 - סכמת טרנזיסטור תוצא שדה (FET).]]
כאשר מפעילים מתח gate חיובי, קיים שדה חשמלי המושך אלקטרונים מתוך המצע לכיוון החומר המבודד. באיזור זה שבין ה-source וה-drain תווצר שכבה דקה של חומר עם כמות נושאי מטען רוב של אלקטרונים, תהליך זה נקרא אינוורסיה שמשמעותו היפוך, כיוון שבאיזור זה המצע יהפוך מ-p-type ל-n-type. כעת יוכלו אלקטרונים לזרום מה-source ל-drain דרך שכבת האינוורסיה. גודלו של הזרם תלוי במתח שבין ה-source ל-drain.
מצב קטעון הוא מצב בו מתח ה-gate קטן ולא מספיק כדי לייצר אינוורסיה, הזרמים שיכולים לזרום הם זרמים נמוכים הנובעים כתוצאה של תהליכי דיפוזיה.
כאשר מגדילים את מתח ה-gate מעל למתח הסף בו מתחילה להיווצר שכבת אינוורסיה, נקבל כי הזרם עולה לינארית בקירוב כפונקציה של מתח source-drain. גודל הזרם תלוי גם בגודלה של שכבת האינוורסיה, כלומר כדי לקבל זרם גדול יותר באותו מתח source-drain , יש להגדיל את שכבת האינורסיה על ידי הגדלת מתח ה-gate.
התהליך מגיע לרוויה כאשר האלקטרונים מגיעים למהירותם המקסימאלית, כך שהגדלת מתח source-drain משאירה את הזרם ללא שינוי.
==מערכת הניסוי==
נמדוד אופיינים של טרנזיסטורים מכל אחד מהסוגים: טרנזיסטור ביפולרי 2N2222A ([[דף נתונים]])