שינויים

קפיצה אל: ניווט, חיפוש

טרנזיסטור

נוספו 63 בתים, 13:24, 26 בנובמבר 2014
/* מוליכים למחצה */
[[קובץ:ממתחים.png|300px|שמאל|ממוזער|איור 2 - ממתח קדמי (1), ממתח אחורי (2).]]
כאשר מחברים חומר מסוג n עם חומר מסוג p מקבלים צומת p-n. צומת זו מאופיין ברוב נושאי מטען שליליים בצד אחד וברוב נושאי מטען חיוביים בצד שני, ראו איור 1. כאשר מצמידים את שני החומרים, מתבצעת דיפוזיה של אלקטרונים לחומר מסוג p ונושאי המטען החיוביים (החורים) יבצעו דיפוזיה לחומר מסוג n. תהליך זה ייָנן את האטומים בגבול שבין שני החומרים, ויגיע לשיווי משקל כתוצאה מאיזון של הדיפוזיה על ידי השדה החשמלי הנוצר בעקבות היינון, אזור זה נקרא אזור המחסור (depletion zone).
כאשר מחברים אל הצומת מקור מתח חיצוני, נקבל כי הצומת משמש כדיודה המעבירה זרם רק בכיוון אחד. במקרה של ממתח קדמי (איור 2-1) נושאי המטען משני הסוגים ידחפו לצומת ויחצו אותו, ונקבל מעבר זרם. במקרה של ממתח אחורי (איור 2-2) המתח יעצור את נושאי המטען מלעבור את הצומת ולא יהיה מעבר זרם בכיוון זה.
 
===הטרנזיסטור הביפולרי (Bipolar junction transistor-BJT)===
405
עריכות