ההתקן מורכב ממצע המזוהם בסוג אחד של נושאי מטען (באיור 4 p-type) כשעליו מושתלים שני מגעים בעלי זיהום הפוך (באיור 4 n-type). עליהם קיים שער עשוי מתכת המופרד מהמצע בשכבה דקה מבודדת. במצב זה, גם כאשר ה-source וה-drain מחוברים למקור מתח חיצוני, לא יזרום זרם בהתקן כיוון שקיימים כאן שני צמתי p-n המהוים נתק, מצב זה הוא מצב סגור.
[[קובץ:טרנזיסטור FET-PNPFET_NPN.png|300px350px|שמאל|ממוזער|איור 4 - סכמת טרנזיסטור תוצא שדה (FET).]]
כאשר מפעילים מתח gate חיובי, קיים שדה חשמלי המושך אלקטרונים מתוך המצע לכיוון החומר המבודד. באיזור זה שבין ה-source וה-drain תווצר שכבה דקה של חומר עם כמות נושאי מטען רוב של אלקטרונים, תהליך זה נקרא אינוורסיה שמשמעותו היפוך, כיוון שבאיזור זה המצע יהפוך מ-p-type ל-n-type. כעת יוכלו אלקטרונים לזרום מה-source ל-drain דרך שכבת האינוורסיה. גודלו של הזרם תלוי במתח שבין ה-source ל-drain.
==מערכת הניסוי==
במעבדה זו יש למדוד אופיינים של טרנזיסטורים מכל אחד מהסוגים: טרנזיסטור ביפולרי מסוג 2N1711 וטרנזיסטור FET מסוג 2N5461 2N5458 (איור 5). את המעגלים עליכם לבנות במטריצה לרכיבים אלקטרונים כאשר חיישני המתח יחוברו למחשב, ראו איור 6, לבניית המעגלים (1) לטרנזיסטור ביפולרי ו- (2) לטרנזיסטור FET.
[[קובץ: מערכת הניסוי מעגלי מדידה2 - טרנזיסטור2טרנזיסטור.png|700px|מרכז|ממוזער|איור 6 - מערכת המדידה]]
==מהלך הניסוי==
===טרנזיסטור תוצא שדה - FET===
חברו את המעגל שבאיור 6-2. חברו את המעגל כך שמתח הgate יהיה חיובי שלילי (מה משמעותו של חיבור כזה?). בחלק זה מתח ה-gate יסופק על ידי מקור מתח DC חיצוני. המתח המשתנה בין ה-source ל-drain יסופק על ידי הממשק (בין <math>0-5 V</math>) בצורת positive ramp up.
עבור 5 מתחי gate שלילי של בין <math>0-2 V</math>, מדדו את הזרם בטרנזיסטור כפונקציה של המתח source-drain.
כעת הפעילו על ה-gate מתח שלילי חיובי של 0.5V, ומדדו את הזרם בטרנזיסטור כפונקציה של המתח source-drain.
הסבירו את התוצאות המתקבלות.